大強度・高品質電子源
電子ビーム源開発では、フォトカソード高周波電子源により3MeV、7200bunches/pulse運転がDESY,XFEL計画のために行われ、 7200nC/pulse加速が実現している。KEK・東京大学および広島大学の協力により、4MeV、160000bunches/pulse電子ビーム生成を3年間で行えるように装置を開発する。目標加速総電荷量は48000nC/pulseである。
既に、レーザーパルスのカソード照射と暗電流除去のために、電子源直後に小型シケインを導入して、大電流電子ビーム生成実験を開始した。また、高量子効率カソードとL-band電子源空洞および直流高電圧技術開発は本提案装置の高性能化のために重要である。
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| 半導体力ソードの長寿命化 →可視光レーザーによる短パルス電子化 (参照：T. Nishitani, Proc. FEL-2006) |
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| 長パルス（1msec）により 300nC/pulse→48,000nC/puls |
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| 連続ビーム（直流）化により100mA級を目指す |
